Micron Technology, Inc.（纳斯达克股票代码：MU），宣布发运2GB混合式内存立方（HMC）工程样品。HMC代表了内存技术上的一次巨大进步，这些工程样品是全球首款供众多领先客户分享的HMC设备。HMC专用于需要高带宽内存存取的应用，包括数据包处理、数据包缓冲或存储以及计算应用程序，如处理器加速等。Micron预计在三至五年内将下一代HMC迁移到消费类应用中。

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    业内一次重大突破，HMC采用先进的直通硅晶穿孔技术（TSV）-- 使用垂直管道电连接一个独立的芯片堆栈 -- 将高性能逻辑和Micron先进的DRAM相结合。Micron的HMC具有一个容量为2GB的存储立方，该立方由四片容量为4GB的DRAM堆叠而成。该解决方案提供了前所未有的160GB/秒的内存带宽，但其每字节能耗却比现有技术减少70%以上，显著降低了客户的总拥有成本（TCO）。

    “混合式内存立方是一种巧妙的装置，打破了业内过去采用的方法，并开创了一种新的可能，” Objective Analysis 内存分析师Jim Handy说到。“虽然DRAM的内部带宽及其对数据的逻辑渴求已成指数地增加，但现有的处理器-内存带宽是有限的，并且能耗非常高。HMC是一种令人激动的替代方案。”

    HMC使内存抽象化，设计者可投入更多时间利用HMC的革命性功能和性能，减少花在实现基本功能所需的众多内存参数上的时间。它还可管理纠错、恢复、刷新和被内存处理变化加激的其他参数。

    “系统设计师正在寻找可支持不断增长的带宽、密度和能效需求的新型内存系统，”Micron DRAM解决方案集团副总裁 Brian Shirley说到。“HMC代表了内存性能的新标准，是我们的客户一直期待的突破口。”

    HMC已被业界领导和权威人士视为期待已久的、用于填补DRAM性能改进率和处理器数据消耗率之间缺口的利器。Micron HMC最近被主流电子出版物《EDN and EE Times》评为年度内存产品。

    Micron预计将在2014年初推出4GB HMC工程样品，2014年底批量生产2GB和4GB HMC设备。

    关于Micron

    Micron Technology, Inc.是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过它遍布全球的运营，Micron为先进的计算、用户、网络、嵌入式和移动产品生产和销售全套DRAM、NAND和 NOR闪存，以及其他创新的存储器技术、封装方案和半导体系统。Micron的普通股在纳斯达克上市交易，代码是MU。欲了解有关Micron Technology, Inc.的更多信息，请访问www.micron.com。

    (C) 2013 Micron Technology, Inc.版权所有。信息如有修改恕不另行通知。Micron和Micron orbit徽标是Micron Technology, Inc.商标或注册商标。所有其他商标或服务标记分别为其各自所有者拥有。本新闻稿包含有关混合式内存立方的样品可用性和批量生产的前瞻性陈述。请参考Micron和证券交易委员会定期发布的汇总文件，特别是Micron最新的10-K和10-Q表。这些文件包含并确定导致汇总文件中的内容与前瞻性陈述不同的重要因素（见“某些因素）。尽管我们认为前瞻性陈述中所反映的预期是合理的，但我们不能保证其未来结果、活动程度、性能或成就。

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